ZNTE相关论文
太赫兹（Terahertz， THz）技术在工业无损检测、科学研究和军事领域发挥着越来越重要的作用。作为太赫兹产生和探测最常用的电光晶体材......
太赫兹波是介于红外与微波之间的电磁波,处于光子学与电子学的交叉波段。近二十年来,随着光电子学、材料科学的发展,对于太赫兹波......
自从著名物理学家、诺贝尔奖获得者理查德·费因曼在1959年提出“纳米科学与技术”以来,人们对于物质世界的研究逐渐由宏观走向微......
室温下共蒸发沉积的ZnTe:Cu多晶薄膜存在反常电导温度行为.对刚沉积ZnTe:Cu多晶薄膜的暗电导温度行为,及不同温度退火处理后样品的......
幻数尺寸的Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米团簇是近年来纳米材料领域的一个研究热点。本文利用氯化锌或羧酸锌为Zn 源，通过硼氢化钠还原Se 粉或T......
由于具有复杂的晶体结构和超离子导体行为,金属硫属化合物特别是Cu2-xSe在热电领域得到了广泛的关注.本文报道了一种简单易行的提......
本文报导了ＺｎＳ－ＺｎＴｅ应变超晶格中的载流子在室温下跃迁复合性质．通过测量室温下光致发光光谱，对载流子在超晶格带间跃迁的过程进行了研究．
In......
用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射......
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等测试技术对样品进行了表征,研究了掺Cu浓度和退火温度对薄膜物相和......
采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上通过室温溅射和原位退火制备了ZnTe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可......
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450～550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的......
II-VI和III-V族高失配合金半导体是新型高效中间带太阳电池的优选材料体系,但中间带的形成及其能带调控等关键问题仍未得到有效解......
太赫兹辐射(THz)是对一个特定频段的电磁辐射的统称,通常指频率在0.1THz～10THz(波长在30μm～3mm)之间的电磁波,其波段在微波和红外之......
纳米光子学已经成为纳米领域热门的研究方向之一,光子的特性蕴藏潜能和优越性,弥补了电子学的不足。稀磁半导体由于既有半导体特性......
给出了ⅡⅥ族半导体化合物ＺｎＴｅ（１１０）表面电子特性的理论研究．考虑最近邻的ｓｐ３ｓ模型描述体态电子结构，使用散射理论方法，给出了理想和弛豫ＺｎＴｅ（１１０）表面的......
用真空共蒸发法沉积了ZnTe和ZnTe：Cu多晶薄膜，研究了Cu含量对薄膜结构和电学性能的影响．发现刚沉积的ZnTe薄膜和轻掺杂的ZnTe:Cu薄膜......
利用真空蒸发的方法制备ZnTe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Pr的掺杂。用XRD、紫外可见分光光度仪、冷热探针对薄膜的......
利用与ＭＯＣＶＤ系统相连接的四极质谱仪实时研究了金属有机源Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ在反应器中热裂解行为。报告了纯态Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ及其混合物在Ｈ２和Ｈｅ气氛中的热裂解实验结果......
本文通过对常规结构CdTe-ZnTe超晶格和新型结构[(CdTe)_2-(ZnTe)_1]×9-(CdTe)_(60)复合超晶格一级声子喇曼峰位置和线型实验上和......
提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和......
以液相外延法制备的ZnSe—ZnTe异质结在77°K时呈现出绿色场致发光,谱峰为5350A。在77°K时由紫外激发源曾测出光致发光,并且发现......
我们以掺Fe的高阻InP作衬底材料,在国产MBE-Ⅲ型设备上,采用调制掺杂技术,成功地生长出了p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料。室温......
(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的......
研究了常压MOCVD方法生长在GaAs(100)衬底上的ZnTe-ZnS应变超晶格光学性质。在77K温度下观测到了与载流子有关的带间跃迁复合。随......
根据光整流效应辐射太赫兹理论,计算了〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射性能.通过与〈110〉、〈111〉晶向对比,当晶体方位角为0°......
室温下共蒸发沉积的ZnTe:Cu多晶薄膜存在反常电导温度行为.对刚沉积ZnTe:Cu多晶薄膜的暗电导温度行为,及不同温度退火处理后样品的......
Far-infrared reflection and Raman scattering measurements have been carried out on reactive ion,etched p-ZnTe samples.Th......
Effect of Cr/In-doping on the crystalline quality of bulk ZnTe crystals grown from Te solution by te
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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采用无籽晶物理气相传输(PVT)方法生长出ZnTe晶体。实验开始,温差较大,压强相对较低,造成晶体生长速率过快,从而以各成核点为中心......
通过理论计算获得Zn Te/Si(211)与Zn Te/Ga As(211)异质结构样品室温下的热应变分布与曲率半径,并采用激光干涉仪测量两个样品室温......
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势(PP-PW)方法,计算了闪锌矿型MTe (M=Zn/Mg)的几何结构、弹性性......
针对光致发光光谱法研究ZnTe:Ti的困难,对包括激发能量、激发功率与激发光斑大小、水汽干扰和测量温度等实验条件进行了细致的优化......
A new electrode structure CdZnTe(Cadmium Zinc Telluride) detector named Binode CdZnTe has been proposed in this paper.To......
偶极子产生的场大部分都局域在偶极子几个波长范围，并不向外传播，传统的THz-TDS的远场探测是无法探测到这些近场信息的。本文提出了......
一种简单的两步工艺被用来制备ZnTe薄膜。这种技术涉及的是在惰性气氛中对Zn和Te进行水溶性电解而淀积Te和Zn的堆层。此种方法获得......
利用真空蒸发的方法制备ZnTe纳米薄膜，用X射线衍射仪、紫外可见分光光度计对薄膜的物相结构、光学特性进行了测试，用冷热探针、薄膜......
利用真空蒸发的方法制备ZnTe纳米薄膜，用X射线衍射仪、紫外可见分光光度计对薄膜的物相结构、光学特性进行了测试，用冷热探针、薄膜......
Characterization and chemical surface texturization of bulk ZnTe crystals grown by temperature gradi
把碲用作溶剂，我们由一个温度坡度答案生长方法在长度在直径和 70 公里种了 30 公里的 ZnTe 铸块锭。在 300 K 进行的霍尔测试显示......
为了优化用温度梯度溶液法(TGSG)生长ZnTe晶体时的生长界面,设计了一种由莫来石圆筒及其内部的圆柱形石墨芯组成的安瓿支撑结构。......
