Practical operations in South China Sea find that punch-through could happen in soft clay. In order to get more bearing ......

利用CERN/SPS加速器提供的5、10、20、30、40 GeV电子束和100 GeV的μ粒于束分别对PbWO4晶体探测器读出单元PIN硅光管存在的PUNCH-......

在ｎＷ－μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数，光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ体激光器作光源，经光纤耦合与......

Spudcan may experience punch-through failure on strong over weak layered soils,such as sand overlying clay.A large defor......

对ＧＡＴ结构晶体管中栅的引入和栅参数改变对击穿电压的影响进行了定量计算，报告了计算的结果，以及对结果的理论分析，计算采用数值分析方法......

报道了基于ＳＤＢ技术的新结构穿通（ＰＴ）型ＩＧＢＴ器件的研制，运用ＳＤＢ技术，实现了ＰＴ型ＩＧＢＴ器件的Ｎ＾＋缓冲层的优化设计，也形成了ＩＧＢＴ器件的正斜铁终端结构，研制出ＩＧＢＴ器件有较好......

通过对临界击穿电场近似得出的穿通限制击穿电压的分析，提出了电导调制型功率件用穿通结构的基区优化设计解析理论；对于电导调制功率......

介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000 V,电流上升率可以达到20 kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值......