硅片直接键合相关论文
该论文首先对基本的双栅MOSFET器件结构进行研究和讨论,介绍了国内外对双栅MOSFET器件结构的研究成果,并提出了一些新型双栅MOSFET......
报道了基于 SDB技术的新结构穿通 ( PT)型 IGBT器件的研制 .运用 SDB技术 ,实现了PT型 IGBT器件的 N+ 缓冲层的优化设计 ,也形成了......
基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线， 定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程。首次提出五阶段键合模型计算值......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室......
论述了晶片键合技术的发展概况，基本原理和基本方法，并对键合晶片的表征技术作了介绍。最后着重介绍了晶生键合技术在微电子学领域中......
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果，提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温......
本文首次利用硅片直接键合技术实现了具有一定真空度的自封闭硅微二极管，实验测得该４０×４０阵列场发射二极管的开启电压只有５Ｖ左右，发射......
对硅－硅直接链合界面上的ＳｉＯ２进行了研究，借助高真空的ＡＥＳ和高分辨率的ＳＥＭ显微分析观察到界面上的ＳｉＯ２化学组成为非化学计量比的ＳｉＯ１．５，以类球形小岛状均匀......
本文探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的电参数设计和工艺设计，通过计算机模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）材料，在实验室制成了ＮＭＣＴ样品。测试结果表明......
本文主要利用电子透射显微镜观察硅片直接键合界面,在界面处存在一无定型过渡区,证实了依靠硅片表面吸附的羟基作用完成键合时,在......
本文介绍了利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术代替三重扩散，生产ＤＫ５５双极功率器件。实验说明，ＳＤＢ片代替三重扩散无需高温长时间的扩散，由于衬底质量好，器件......
本文介绍了硅片键合技术和键合界面性能及其在高压功率器件、介质隔离器件等方面的应用。......
基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线，定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程。首次提出五阶段键合模型计算值与......
针对在ＭＥＭＳ加工中所要求的低温键合，提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出了......
硅片直接键合技术的关键在于硅片表面的亲水处理，本文分析了亲水处理之微观机理，从界（表）面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性......
给出了估计硅片在键合过程中实际接触面积的理论模型．模型描述了硅片表面的凸起分布及其弹性形变对接触面积的影响．对于满足键合条件......
报道了基于ＳＤＢ技术的新结构穿通（ＰＴ）型ＩＧＢＴ器件的研制，运用ＳＤＢ技术，实现了ＰＴ型ＩＧＢＴ器件的Ｎ＾＋缓冲层的优化设计，也形成了ＩＧＢＴ器件的正斜铁终端结构，研制出ＩＧＢＴ器件有较好......
根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型，得到了键合后硅片中杂质的浓度分布．并利用MATLAB软件，编写......
利用硅栅自对准分离子注入工艺制备了ＳＯＩ／ＳＤＢ ＣＭＯＳ器件，讨论了该器件的短沟道效应、“Ｋｉｎｋ”效应以及ＳＯＩ硅膜厚度对ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ管参数的影响。......
本文介绍了一种利用硅片直接键合(SDB)技术制作Si/Si衬底的方法。从理论上研究了键合过程中的热过程,如键合界面区中氧的扩散和杂......
采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VDMOSFET器件的研制.实验结果表明,采用SDB硅片制造出的......
本文较全面地介绍ＳＤＢ／ＳＯＩ技术，其中包括热键合机理和工艺、硅片减薄技术的机理和工艺以及ＳＯＩ材料的质量检验和分析。......
本文提出在直接键合前用等离子体活化硅片表面的方法。经活化后表面硅悬挂键明显增加,从而对羟基进行有效的化学吸附。低压气体放......
论述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法，并对键合晶片的表征技术作了介绍。最后着重介绍了晶片键合技术在微电子学领域......
SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、......
提出硅片直接键合(SDB)的下列机理:热氧化硅表面的悬挂键在常温下与羟基因形成化学键.两个镜面平整表面互相重合,原子互相以范德瓦......
