制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器......

介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHBT器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHBT......

阐述了目前InP DHBT器件技术的研究进展,介绍了I型InP/InGaAs DHBT技术的研究水平和Ⅱ型InP/GaAsSb DHBT技术的开发现状。综述了In......

InP材料拥有着很突出的频率特性，良好的器件一致性以及击穿特性，适合应用于毫米波通信系统。论文对InP基DHBT（DHBT:Double Heterojunc......

DAC是由数字信号到模拟信号的转换器,它联系着数字和模拟世界。现代电子系统的飞速发展需要更高转换速率的DAC,而InP-DHBT器件的特......

介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速......