哑铃畴相关论文
详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场H·sb和硬泡标准场H*0处畴长L随温度的变化关系,证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间......
本实验研究了含Lu样品(硬磁畴只能产生OHB和ID)中的第一类哑铃畴在直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下的自发收缩现象.实验发现......
实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.......
本文研究面内磁场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与固定直流偏场（Ｈｂ）ｆ的关系。实验结果显示：（１）使ＩＤ发生条泡转变包需的面内场（Ｈｉｐ）ｓｂ随所高定的直流偏......
以实验为依据，在Ｔｈｉｅｌｅ磁泡静力学理论和垂直布洛赫线均匀旋转模型的基础上，通过对畴壁能进行修正，研究了直流偏磁场作用下泡状硬磁畴的条泡......
实验研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴（ＩＤ，ＩＩＤ）在系列脉冲偏场作用下的一些旋转行为以及丢失ＶＢＬ的现象。......
实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.......
通过对哑铃畴在面内场作用下自缩泡现象的研究，发现面内场作用下垂直布洛赫线链的解体与哑铃畴在面内场中的位置有关。当哑铃畴与面......
该文研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴在系列脉冲偏场作用下的行为，发现哑铃畴在系列脉冲偏场作用下，随脉冲偏场幅度的增加会出现改变......
实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发出了影响正，负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正，负ＶＢＬ的形成，只与硬......
通过对于第一类哑铃畴缩灭行为的实验研究，发现在直流偏场增加的过程中，ＩＤ以稳定的圆形畴存在的直流偏场范围△Ｈｂ随着其条泡转变场的增加......
实验研究了硬磁畴在不同温度下的静态性质，发现具有相同数目ＶＢＬ的硬碰畴在不同温度下的存在形式不一定相同，从而揭示了三类硬磁畴畴壁结......
实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ⅡＤ畴壁中的垂布洛赫线链的影响，发现存在一个阈值直流偏场口口口口Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ〈（Ｈｂ）ｔｈ时，使ⅡＤ开始转变为......
研究了温度作用下3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失过程,发现和证实了普通硬磁泡(OHBs),第Ⅰ类哑铃畴(IDs)和第Ⅱ类哑铃畴(......
实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面......
通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律.结果发现,转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消......
实验研究了含Lu样品(硬磁畴只能产生OHB和ID)中的第一类哑铃畴(ID)在直流偏场(Hσ)和面内场(Hip)联合作用下的自发收缩现象,这种现......
实验研究了面内磁场Ｈｉｐ对处于直流偏磁场Ｈｂ作下的第Ⅱ类哑铃畴的稳定性的影响。...
利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间......
实验研究了非压缩状态下第二类哑铃畴畴壁中垂直布洛一的温度稳定性，发现与材料参量有关的两个重要温度（Ｔ＾（１）０）ⅡＤ与（Ｔ０）ⅡＤ。当温度达到（Ｔ＾（１）０）ⅡＤ时，ⅡＤ畴......
详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场Ｈｓｂ和硬泡标准场Ｈ０‘处畴长Ｌ随温度的变化关系，证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距......
实验研究了在不同直流偏磁场Hb下,经面内场作用后Ⅱ类哑铃畴的剩余几率P随面内磁场Hin变化的规律.发现Ⅱ类哑铃畴剩余几率P随Hin的......
