场致发射阵列相关论文
本文利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,在真空系统中对所得到阵列阴极的发射性......
Carbon nanotubes(CNTs)were grown into anodic aluminum oxide(AAO)channels by chemical vapor deposition(CVD)using C2H2/N2m......
研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发......
碳纳米管的发现,引起了全世界众多科学家的广泛关注,其优异的电学、力学、磁学性能,在许多领域有广泛的应用前景。尤其是它具有大......
自20世纪90年代初碳纳米管被发现以来,基于碳纳米管的场致发射阵列很快就被用到场致发射的研究中来。碳纳米管具有高长径比、较低......
研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列项部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发......
介绍了一种制作FED器件的新材料--碳微管薄膜,并对其制作、性能作了说明....
一些Ⅲ主族以及过渡金属氮化物具有低逸出功以及稳定场发射的性能，适合于用作ＦＥＡ发射微尖表面的薄膜。本文对这些氮化物薄膜作了制备与......
本文对以ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物硅场效应薄膜晶体管）技术提高ＦＥＤ（场致发射显示）等器件的ＦＥＡ（场致发射阵列）阴极发射电流的稳定性作了说明，并就对ＭＯＳＦＥＴ技术的改进......
真空微电子学是近年来发展的一门新学科，它将会引起微波管技术的重大革新。本文介绍了在冷阴极，微三极管，感应输出放大器，分布放大器等......
研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列项部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发......
本文简叙了场致发射阵列真空荧光平板显示屏的发展概况,分析了这种显示器件的工作原理和驱动方式,并就这种器件的结构和工艺进行了......
介绍了硅场致发射阵列工艺研究的初步结果。应用湿法化学腐蚀、硅锥切削及介质平坦化技术成功地制备出了理想形状的场致发射阵列。......
简要介绍了场致发射显示器件的结构和原理，全面总结了人们正在研究的各种场发射冷阴极材料，其中主要包括金属场致发射阵列、硅场致发......
提出了一种Ｔ形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷......
采用有限差分法，对有聚焦极的垂直双门结构的ＦＥＡ进行了轴对称三维模拟计算，得到发射微尖附近的电位和电子束运动分布图。分别讨论了聚焦......
场致发射显示器(FED)兼具阴极射线管(CRT)的高亮度、高发光效率、宽视角、响应速度快、耐严酷的高低温和液晶显示器(LCD)的薄型、......
