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SiGe HBT器件具有高频功率及噪声性能,本文基于先进的8英寸(200 mm)集成电路工艺生产线,通过Site HBT的工艺开发和器件设计,成功......
介绍了具有自主知识产权的微波低噪声锗硅(SiGe)异质结双极晶体管(HBT),给出了器件的基本结构及它的基本工艺流程。通过对集电......
该文通过计算机多次求解n元一次克希霍夫电路方程组,分析有封装的微波砷化镓场效应晶体管的噪声系数与其等效电路元件参量的关系,并......
该文对采用反馈法使微波低噪声FET放大器同时获得最佳噪声和最小驻波的问题进行了研究,运用计算机对这种放大器进行了分析,给出了计......
内容:雷达体制的研究;雷达系统和分系统的研究和设计;雷达系统可靠性及雷达应用;雷达仿真模拟;空中雷达目标识别中的姿态取向问题;微波低......