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栅漏电机制相关论文
高k/InGaAs MOS电容界面特性研究
在过去的四十年中,随着器件尺寸不断按比例缩小,基于Si的互补金属氧化物半导体性能趋于极限。为了延续摩尔定律,高介电常数(高k)介质......
学位
InGaAs
ZrO2
ZnO钝化
界面态
C-V特性
栅漏电机制
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