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电流崩塌效应是限制AlGaN／GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素，文中从器件研制的角度研究了AlGaN／GaN HFET的电流崩塌效应。研究结......

介绍一种硅应变计，通过使用同种材料、采用两种不同的工艺技术对比试验，测试结果表明，氮化硅钝化技术制造的产品性能优于常规半导体技......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

砷化镓的表面钝化是一个长期未能很好解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力，但它的化学稳定性仍不够理想......