以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体，利用rf-PECVD沉积技术制备了氮掺杂氟化非晶碳（a_C：F：N）薄膜，研究了源气体流量比对a_C：F：N薄膜沉积速率......

以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体，采用PECVD技术，在不同源气体流量比下制备了α-C：F：N薄膜。对制备的薄膜进行了真空退火处理。并对......