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高效率连续1000 W半导体激光器叠层阵列
采用低压MOCVD外延技术生长的GaInAs/AlGaAs应变量子阱大光腔结构材料结构设计,利用低压MOCVD外延技术生长了3英寸(75 mm)激光器外......
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应变量子阱
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