大光腔结构相关论文
GaInAsP/InP系列激光器由于其T0 小 ,且受环境温度影响大 ,所以用一般结构制作阵列器件是很困难的。而采用大光腔 (LOC)结构的激光......
本文介绍堆积式列阵半导体激光器，着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系列激光器。由于它们的Ｔｏ小，受环境温度影响大，用一般结构作列阵器件是很困难的。而采用大光腔......
ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系列激光器由于其Ｔ０小，且受环境温度影响大，所以用一般结构制作阵列器件是很困难的。采用大光腔（ＬＯＣ）结构的激光器，其Ｔ０值可达１００￣１４０Ｋ，单个１．３μｍ激光器，脉冲......
本文用电磁学理论对大光腔半导体激光器的横向波导模式进行了推导，得出了影响横模甄别的模增益、吸收系数和折射率等的计算公式，并通......
基于GaInAs/AlGaAs应变量子阱大光腔结构激光器芯片和无氧铜微通道热沉,采用In焊料烧结工艺,制作了976nm大功率连续激光器单条。在......
采用低压MOCVD外延技术生长的GaInAs/AlGaAs应变量子阱大光腔结构材料结构设计,利用低压MOCVD外延技术生长了3英寸(75 mm)激光器外......
1.55μm半导体激光器有很多突出的优点, 但普通的双异质结激光器功率小, 且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入1.55μm GaInA......
