电子电流相关论文
本文提出了栅控混合管（GCHT）集电极电流的分区模型，在不同的基极电压范围时器件输出特性进行了讨论，与以前提出的精确全区模型[10]相比......
场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场......
电子设备的频繁使用使我们生活的质量得到了十足的改善。电子设备在生活中的应用也促进了其自身的不断更新与向前发展。接下来,本......
Nakagawa-limit是基于硅基极窄台面间距IGBT提出的理论假设,发射极区只有电子电流流过,空穴电流只对电导调制有贡献。分别引入载流......
一、绪言 对电离真空计、真空分析仪的热灯丝来说,虽然使用钨丝(W)、铼丝(Re)、覆氧化钍丝(ThO2、芯线为W、Ir、Pt-Ir合金等)及覆......
对扩散p-n结的光电流在短波长区域的响应进行了解析研究。本文假设扩散p型区的杂质分布为高斯分布,并与前人的指数杂质分布结果作......
本文应用ASED-MO方法,计算研究了Cu在Pt(111),(100),(110)表面的扩散问题。Cu原子在上述三个表面上的扩散激活能的计算结果分别为0......
n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs 异质结构背电场背反射簿层电池的光谱响应的计算结果表明:结深x_j对光谱响应有重要的影响,尤其是......
一、引言近两年来,在几篇资料中业已讨论了有意义的 n 型 GaAs 肖特基势垒的电容性能。威廉斯观察了在施加于二极管的偏压变为更......
本文给出高压强电离真空计的一个基本理论。在这类真空计中,主要应考虑的问题有:(1)电子流通过高压强的气体,并引起电离;(2)二次电......
本文把在金属-半导体接触中同时存在着扩散和热电子发射这样两种互相串联的电流传输机构这一看法推广到了异质结。以GaAs-Ge为例进......
本方法针对SEM+EDX或SEM+WDX仪器的分析方法。本方法根据SEM的二次电子检测器所检测的信息并综合EDX信息加以实现的。令二次电子......
用液相外延方法研制了InGaAsP/InP异质结双极晶体管(HBT),并研究了其直流特性。该HBT的发射区和集电区材料为InP(禁带宽度为1.35eV......
势垒厚度在２．５～５０ｎｍ ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ隧道发射极ＨＢＴ的奇特电流增益近几年来，人们对用隧道势垒作为有效质量滤波器的兴趣越来越大。曾有人提出一种新型ＴＥＢＴ结构ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ双极......
设计并制造了ＣＯ２离化装置——由电子轰击对团束进行离化，由电极电位进行加速，由阻止势进行质量分离。通过实验确定了最佳参数，其中包括：离......
针对现有模型无法解释蜂窝状多孔型氧化膜的形成本质,首次用建模演绎的方法推导出氧化过程中离子电流和电子电流随时间变化的表达......
该文利用相因子,对时变磁场作用下的介观环进行计算,得到含时系统中的持续电流.并绘制出图形.电子电流和含自旋的电子电流都是随时......
讨论密封式中子管中一次电子的几种方法。对Ｐｈｉｌｉｐ型中子管，用永久磁块抑制二次电子时得到中子产额是不加磁块时中子产额的１．３３倍。......
分析中子管中电子电流的形成过程。对于Ｐｈｉｌｉｐ型中子管，Ｄ＋离子轰击靶产生的二次电子直射进入加速区，形成的电子电流仅是总电子电流的一部分。......
本文结合近年来工业静电研究中体会,扼要地介绍了静电在工业中主要危害,並提出静电(泄漏)电阻、静电电容不同于动电(欧姆)电阻、平......
用实验方法测出显像管含气系数与真空度的关系....
文中介绍了目前已发表的,四级场质谱计在133×10<sup>-4</sup>Pa时的结果,测出了四级场质谱计临近上限的线性特性,并对实验结......
讨论密封式中子管中抑制二次电子的几种方法．对Philip型中子管，用永久磁块抑制二次电子时得到中子产额是不加磁块时中子产额的1．33倍．
......
阳极氧化法制备的TiO2纳米管因其独特的结构和优异的性能在多个领域获得广泛应用。阳极氧化TiO2的生长机理也成为本领域的研究热点......
现代汽车的电子系统越来越复杂,迫使设计和认证流程必须进行思维习惯的转换。起源于1940年代的弹药测试、并在1960年代开始用于汽......
