等离子蚀刻相关论文
球栅阵列(BGA)、芯片级组装(CSP)以及其它发展中的结构因素的广泛使用表明,为了安装具有极紧密间距和较小的几何形状的PCBs元件,......
目前,在PCB制造工厂中广泛地引入富有生命力的直接成像技术和不断装置相关的设备与工艺。这些将表明直接成像将可能成为PCB工业中......
诞生于 1 9世纪末的胶片电影现今正在面临着一场变革。新世纪到来的时候 ,数字技术将渗透到人类生活的各个领域 ,电影院也不例外。......
如果碳氢化合物的氢原子部分或全部被卤素(氟、氯、溴、碘)取代,就称之为卤代烃。现在,这类碳氢化合物在半导体元件等离子蚀刻工......
在半导体器件制造的蚀刻工艺中,目前还是以湿式化学蚀刻用得比较多。据美国统计,现在使用的湿式蚀刻设备,仍占54.2％。其余的占45.8％......
美国Luxtron公司750型荧光温度测量系统由4通道测量仪器和四个以上探头组成,测温范同为-60℃～400℃,测量精度为±2℃,可用于工业或......
本文介绍了氟油(掺氧)等离子蚀刻多晶硅、氮化硅的实验装置及工艺参数;讨论了高频功率、电极形状、源瓶结构、蚀刻过程产生淀积物......
为了替换湿法蚀刻技术,因而等离子蚀刻技术受到注意。最初,根据圆筒形等离子蚀刻装置,剥掉光致抗蚀剂,活跃地进行丁关于多晶硅、......
经国家科委批准,《微细加工技术》(季刊)正式创刊并在国内公开发行。它是反映国内外微细加工技术发展的综合性刊物,为发展微细加......
导言长期以来,开发一种满足敏感器的物理系统所需的并以手指为模型的触觉敏感器一直难以实现。人们研制了有效的作用力敏感器,却......
本文提出发展蚀刻二元元件的工艺,其中最重要的是选择适当的蚀速比,它是制作具有连续厚度分布的浮雕型光刻全息图的关键,文中给出......
据外刊报道,日本继1990年首次兴起模糊逻辑热之后.1992年又掀起了第二次模糊逻辑热.众所周知,由于模糊逻辑产品可做出类似人的一些......
本文阐述了黑硅太阳电池的制备工艺，并分析了利用传统制备工艺技术对黑硅太阳电池材料光电转换效率的影响的具体原因，提出具体改进方......
1）DL/T 1495-2016《火力发电厂脱硫石膏及浆液中水溶性氟离子的测定》。规定了火力发电厂脱硫石膏及浆液中水溶性氟离子的测定方法......
日本产业技术综合研究所（产综研）开发出棒状及带状纳米碳材料的新型合成方法。该方法除了采用以往的化学反应和热处理外，不需要其他复......
The etching effect of ammonia (NH3) on the growth of vertically aligned nanotubes/nanofibers (CNTs) was investigated by ......
悬空引线的制作是挠性印制线路板制作的难点之一，需要在基材的某些区域蚀刻掉PI（聚酰亚胺）基材来满足设计的要求。目前采用的在基材上......
随着半导体的特征尺寸越来越小,其设计的复杂度日益增加。这就要求蚀刻工艺必须在更高粒度化层面具备复杂的调节能力,以满足更严格......
高能硫、氪、氙离子轰击聚酯(PET)和聚碳酸酯(PC)膜后，对样品进行陈化和紫外线照射敏化．用电导法着重研究蚀刻条件对样品的归一亿径......
一种半导体机台气体反应室的气体配送系统及方法，特别是在晶片进行等离子蚀刻或薄膜沉积工艺中，能通过气体流量控制阀参数设定，随时调......
如果碳氢化合物的氢原子部分或全部被卤素(氟、氯、溴、碘)取代，就称之为卤代烃。现在，这类碳氢化合物在半导体元件等离子蚀刻工艺中......
三栅分栅型闪存的浮栅层末梢尖端高度决定了器件在擦除时F-N隧穿电流的大小,过低的尖端高度会使电场强度过低,从而出现器件擦除电......
在电子系统中为了实现信息传输的大规模化和高速化:一是采用高速电子器件;二是采用光波导连接芯片。GeSi/Si异质结在这两方面的应......
<正> 最近,气体等离子处理技术明显进步,在SF6和CF4气体蚀刻剂的基础上,又开发了NF3蚀刻剂。用NF3蚀刻能耗低,因为N-F结合能比S-F......
