超浅结相关论文
ULSI的飞速发展对器件加工技术提出了众多特殊要求.其中,MOS器件特征尺寸进入亚0.1μm领域时亚50nm超线结掺杂区的形成就是一个重......
设备的连续精简在过去的 40 年里支撑了 Moores 法律。当力量驱散变得越来越严肃，很多新兴的技术在过去的十年被采用了解决短隧道效......
Spectroscopic ellipsometry (SE), photocarrier radiometry (PCR) and photoluminescence (PL) techniques were employed to me......
针对纳米PMOS器件超浅结工艺面临的硼扩散问题,开展了预非晶化与激光退火和碳共注入结合的超浅结实验,通过透射式电子显微镜(TEM),......
本文提出了一种新的掺杂方法:分子层掺杂(MLD)。它的机理是表面化学吸附掺杂气体的溶解物。以B_2H_6作掺杂气体按MLD工艺成功地获......
本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5～60keV;离子品种是从~1H到~(209)Bi;最低能量5keV的As~+、Se~+等重离子的靶......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测......
随着超大规模集成电路技术的发展，CMOS器件的制备过程需要同时引入金属栅和超浅结等新的先进工艺技术，因此各种新工艺的兼容性研究具......
集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能......
研究了应用双边C-V法测量超浅结（如p^＋-n结）的掺杂分布。推导了在已知p^＋-n结的电容-电压（C-VR）关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽......
栅极和沟道的尺寸缩小，受限于源／漏结点和栅介质的发展。尽管金属栅和高k材料在逐步应用，短沟道效应（SCE）依然是个重大挑战。晶体管也会......
尽管已经出现了多种工具和概念，但超浅结（USJ）的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上，要夺得这一圣杯，你需要绘......
气体丛离子束（GCIB）开发商Epion宣布对其nFusion^TM掺杂系统产生的离子束电流实现了重大性能提高。增强的离子束质量传递不仅使晶圆......
综述了近年来激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用。指出了现有的广泛用于集成电路结形成的离子注入加快热退火技术，不能适应纳米......
采用电化学电容-电压（ECV）法对等离子体掺杂制备的Si超浅P^＋n结进行了电学表征．通过对超浅P^＋n结样品ECV测试和二次离子质谱（SIMS）测试及......
High Resolution Medium Energy ion Scattering Analysis for Investigating UltraShallow Junction of Ant
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随着器件尺寸的缩小。离子注入和退火等制程的可变性开始引起器件阈值电压的显著变化。对此。器件制造商有两个选择：要么围绕可变性......
半导体材料是微电子器件和光伏器件的基础材料,其杂质和缺陷特性严重影响器件性能。伴随微电子器件集成度和光伏器件转化效率的提......
利用能量为5—20keV、剂量为5×1014—5×1015cm-2的BF+2和As+注入硅中,以快速热退火激活杂质并控制杂质的扩散再分布,可以得到结......
团簇离子束是带电的团簇,可以在电场、磁场作用下加速、传输或偏转,形成几个eV到几个MeV能量的离子束。文中阐述了团簇离子束的基......
基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室......
基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该......
期刊
在对深亚微米技术的探索中,通过实践,得到了100 nm以下N型高掺杂浓度超浅结的工艺流程。介绍了采用低能量离子注入技术结合快速热......
MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及......
为了改进集成电路性能和速度,需要不断缩小器件尺寸,高掺杂且突变的超浅源／漏结的是高性能MOS器件所必需的。但传统的掺杂浓度测量......
用反应离子刻蚀（RIE）剥层的微分霍耳法（DHE）对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p＋n结进行了电学表征.通过对超浅p＋n结样品RIE剥层的DH......
利用能量为5—20keV、剂量为5×1014—5×1015cm-2的BF+2和As+注入硅中,以快速热退火激活杂质并控制杂质的扩散再分布,可以得到结......
