轻空穴相关论文
对由ＧａＡｓ，Ａｌ０．２１Ｇａ０．７９Ａｓ及ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ由０．０～０．２１之间变化）三种材料构成的超晶格能带结构进行了研究。结果发现：如果超晶格单胞对其中点不具有对称性，对应自旋向上和向下的能......
采用半经验紧束缚近似方法对生长在ＧａＳｂｘＰ１－ｘ（００１）衬底上ＧａＰ的电子能带结构进行计算。ＧａＰ为间接能隙型的半导体，计算表明，当衬底中Ｓｂ组分ｘ≥０．５７时，应变的ＧａＰ薄层由间......
获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率和载流子浓度与温度的关系，可以得到关于深能级的重要信息
A method to study ......
通过测量ＧｅＳｉ多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１、轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收......
通过变磁场霍尔测量方法 ,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法 ,在 1 2 - 30 0K范围内 ,获得了两块分子束外延 (......
GaAs量子阱半导体微腔中, 光子同时与重空穴激子、轻空穴激子耦合形成腔极化激元 本文采用三谐振子耦合模型,计算了腔极化激元的三......
基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构,并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较.给出了单轴〈111〉应力作用下......
报道了分子束外延生长 Ｈｇ０．６８ Ｃｄ０．３２ Ｔｅ 材料的光致发光测量结果。研究了原生样品和退火处理样品、以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。对光......
提出ρ和(Ze—Z_h)耦合试探波函数,计算了 GaAs/Ga_(I-x)Al_xAs量子阱中基态激子的结合能随阱宽和阱深的变化关系,并对所得结果进......
利用常压ＭＯＣＶＤ系统在透明衬底ＣａＦ＿２上生长了ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格。研究了低密度激发下该结构在不同温度下的光学性质，对光谱中出现的多个发光体进行了分......
在国内首次利用LPE生长技术在n-InP(100)衬底上成功地生长1.35μm InGaAsP分别限制单量子阱结构。通过对样品的横截面进行的TEM观......
分析了HgCdTe材料中杂质浓度与费密能级的关系。根据Kane三能带模型和费密-狄拉克统计,直接利用电中性条件n-P_1-P_-P_3=N计算了......
在77K和0—50kbar静压范围内研究了阱宽分别为m=4.8,12个单原子层的(CdTe)_m/(ZnTe)_n应变量子阱的静压光致发光。在常压下,m=8和1......
用光荧光和光吸收的实验方法研究了InGaAs/GaAs应变量子阱低温下的光谱展宽机理。实验观察到激子谱线半宽随着InGaAs层厚度和In的......
我们研究了与InP衬底晶格匹配的GaInAs/AlInAs三元材料多量子阱异质结构的光学性质,测量了不同阱宽量子阱在低温下的吸收光谱、光......
本文报道弹性应变及结构参数对 InAs/GaAs应变层超晶格导带、价带不连续性及其子能带结构的影响.通过分析流体静应力和单轴应力对......
本文在Ｐ－ｉ－ｎ结构的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ应变层短周期超晶格的调制光反射谱中观察并确认了超晶格微带电子的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ振荡，通过对Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ振荡的分析，推算出超晶格区内建电场大小......
通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光（Photoluminescence,PL）光谱测量,发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响......
