边界陷阱相关论文
文章主要介绍了ＭＯＳ器件中边界陷阱的特点、性能、形成机理及对器件性能的影响。给出了二种边界陷阱的理论模型，阐述了它的微观结构，研究......
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在深入研究SMIC 90nm工艺1．4nm栅厚度nMOS器件RTS噪声时域特性的基础上，提出了该类噪声电子隧穿栅介质的物理起源，并对高栅压下RTS噪......
强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一，文中研究了深亚微米MOS器件的随机电报信号（RTS）......
