金属-绝缘体相变相关论文
可逆的离子脱出-嵌入、相变和能带结构转变等不仅可以引起电能-化学能转化,还可能伴随着载流子种类、浓度的变化等,研究这些现象在......
利用电子束蒸发法在Si衬底上制备了不同厚度的SnO2缓冲层,并使用磁控溅射法制备出上层氧化钒薄膜,研究了 SnO2缓冲层厚度对于氧化......
量子材料GaTa4Se8(GTS)不仅展现出绝缘体到金属相变、Jeff量子态以及拓扑超导等多种有趣的物理性质,而且还是电阻开关和存储介质材......
金属-绝缘体相变现象一直是凝聚态物理中倍受关注的热点和研究重点。在众多金属-绝缘体相变材料中,钙钛矿型稀土过渡金属氧化物RNi......
具有钙钛矿结构的镍氧化物(RNiO3,R 为镧系元素)是一种强关联电子体系,除R=La 外,具有明显的金属-绝缘体相变(MIT).镍酸钐(SmNiO3,S......
钒-氧化物在临界温度(T_c)会表现出独特的绝缘体—金属相变特性,并伴随着电阻和近红外波段透过率的突变行为。二氧化钒(VO_2)的T_c......
二氧化钒(VO2)在相变温度(68℃)附近会发生单斜结构(M)到金红石结构(R)的可逆转变,并伴随着电学和光学性质的突变,因此在光电开关、智能窗......
随着信息化时代的快速发展,寻找低能耗、高密集、高传输的电子材料已成为电子信息器件的核心问题。在寻找新材料的过程中,材料科学......
二氧化钒(VO2)是一种典型的相变材料,在~68℃发生金属-绝缘体相变(Metal-Insulator Transition,MIT),并伴随众多物理性能的巨大变化。VO......
二氧化钒(VO2)因其接近于室温(约68℃)的金属绝缘体转变(MIT),且转变过程中光学和磁学性质的巨大变化而受到了广泛关注。VO2的MIT起源......
本文采用两种制备方法在Si3N4基底上制备得到具有金属-绝缘体相变特性的氧化钒薄膜,即:一、离子束溅射高价非稳态氧化钒薄膜和还原热......
该论文用半经验自洽场晶体轨道(SCF-CO)法研究了含杂原子(如N和B)的复合纳米管的组成与电子特性的关系.目的在于探讨杂原子取代个......
在强关联电子材料体系,电荷、自旋、晶格和轨道自由度之间存在着强烈的相互耦合和竞争,表现出丰富的相图和许多新奇的物理现象,如高温......
论文的第一章对Ru系焦馏石氧化物A2Ru2O7以及尖晶石型氧化物ZnCr2O4的结构、输运性质、磁性质以及其受挫性质研究现状进行了综述。......
通过对Eu2-xPbxRu2O7(x=0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0和1.8)系列样品的结构、电阻和磁化率的观测,结果发现,随着Pb替代浓度x值的......
据美国Science,2007,318:615报道,近日.中国科学院物理研究所凝聚态理论与材料计算实验室方忠小组、表面物理国家重点实验室的郭建东与......
用脉冲激光溅射(PLD)法在LaAlO3(100)单晶衬底上制备了掺4.0 wt%Ag的超巨磁电阻材料La0.67Ca0.33MnO3薄膜.在氧气氛中经高温处理后......
我们采用CVD法,生长出高展弦比的VO2纳米线,并对其形貌、结构进行了表征,讨论了其生长机制.CVD方法生长的VO2纳米线沿着[100]的方向生......
Mott金属-绝缘体相变(MIT)是凝聚态物理中的一个非常基本的概念.长期以来,Mott型MIT的概念被广泛应用于凝聚态物理的许多领域,特别是......
VO_2是一种热致相变金属氧化物.在341 K附近,VO_2发生由低温绝缘体相到高温金属相的可逆转变,同时伴随着光学、电学和磁学等性质的......
在用半经验自洽场晶体轨道方法计算能带结构的基础上,并在平均场近似和形变势理论框架下,研究了四种一维线性 C36聚合物模型的 C36分......
在采用固相反应法成功制备单相Na0.75Co1-xRuxO2(0≤x≤0.5)样品的基础上,对其结构、输运性质和磁性质进行了系统研究.结果表明,x≤0.5的样......
本文简单叙述了决定介观体系尺寸的退相位长度的物理含义,以及目前在介观和低维体系中值得关注的几个物理问题.从近期的发展看,退相......
具有常式尖晶石结构的CuIr2S4在约为230K时经历金属-绝缘体一级相变.研究发现,用Zn替代Cu时,系统的基态由绝缘体转变为超导体.本文......
采用电子束蒸发法(EBE)在单晶TiO2(110)衬底上沉积VO2超薄薄膜.实验以高纯金属V棒为蒸发源,高纯氧气作为反应气体,固定生长温度330℃,......
本工作采用脉冲激光沉积法,以c-Al2O3为衬底,金属钌(Ru)镶嵌金属钒(V)圆片作为靶材,高纯氧气为反应气体,在不同沉积氧压下制备出一......
本工作中我们采用脉冲激光沉积法,以金属钒靶作为烧蚀靶材、高纯氧气作为反应气体,通过改变薄膜生长时的氧压,在TiO2 (110)衬底上......
在强关联电子材料体系,电荷、自旋、晶格和轨道自由度之间存在着强烈的相互耦合和竞争,表现出丰富的相图和许多新奇的物理现象,如......
在21世纪科学发现与技术创新迅猛发展的时代背景下,新智能材料、微纳米、生物医药等高新技术之间的融合日益深化。和世界主要制造......
凝聚态物理和材料科学中,二氧化钒(VO2)是最典型的具有金属-绝缘体相变(metal-insulator transition,MIT)特性的过渡金属氧化物。由于V......
3d族过渡金属化合物具有非常丰富的量子态和新奇量子现象,如磁有序、巨磁电阻、自旋和电荷密度波、金属-绝缘体相变、多铁性、超导......
二氧化钒(VO2)作为最典型的金属-绝缘体相变材料,受到了越来越多的关注。VO2在68℃时由单斜结构转变为金红石相结构,同时伴随着电学......
近日,日本大阪大学的研究小组与日本产业技术综合研究所合作,实现了三维方向全部为10 nm尺寸的强关联氧化物四氧化三铁(Fe3O4)的纳......
硫系化合物相变材料已经由于其在相变存储器上的应用前景而受到了人们的广泛重视。硫系相变材料的晶态和非晶态的光学和电学性质有......
21世纪物质科学基础研究的重心已由过去的表征稳态时物质的微观结构逐渐发展到深入研究它们在制备过程中是如何形成的,以及最终充......