铟镓砷化合物相关论文
低温下，测量了InGaAs量子阱平面微腔的时间分辨光谱。在非共振激发条件下，观察到上下两支腔极化激元光荧光的衰退时间与失谐无关；下支......
利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xGa1-x材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了生长温度对InxGa1-xAs外延......
采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算法，研究了三元合金ＩｎｘＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移Δ......
把原子集团展开方法同平均键能方法相结合建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法。应用此方法对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ系统分别计算了以ＧａＡｓ和以......
用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系，以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份......
用接触式原子力显微镜来观察460℃低温下生长的In0.35Ga0.65As/GaAs外延层形貌。实验发现，这种460℃低温生长材料的失配外延层既不......
Effect of growth interruption and strain buffer layer on PL performance of AlGaAs／GaAs／InGaAs quantu
Strained InGaAs/GaAs quantum well (QW) was grown by low-pressure metallorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Growth......
