采用变温及时间分辨光致发光测量手段, 研究了分子束外延(MBE)设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现InxGa1-xAs盖帽层......

　　本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现......

该文在研究自组织In(Ga)As/GaAs量子点的生长和物性的基础上,通过几种方法都成功的得到了具有室温1.3μm发光波长的量子点材料.并......

Strained InGaAs/GaAs quantum well (QW) was grown by low-pressure metallorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Growth......

研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(P......