论文部分内容阅读
介绍了一种新颖的非埋层隔离式高压N型沟道LDMOS器件，采用独特的双N型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单N型深阱，在提高器件耐压的同时优化了比导通电阻，从而大大提升了器件性能。同时，非埋层工艺使成本大幅下降。
非埋层隔离式高压N型沟道LDMOS器件设计
【摘 要】
：
介绍了一种新颖的非埋层隔离式高压N型沟道LDMOS器件，采用独特的双N型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单N型深阱，在提高器件耐压的同时优化了比导通电阻，从而大大提升了器
【机 构】
：
上海华虹NEC电子有限公司,上海 201206
【出 处】
：
第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
：
2011年期
其他文献
提出了一种提高高压P型LDMOS隔离能力的方法。通过一步深N型阱和一步浅N型阱来替代传统的单深N型阱工艺和结构，在确保高压PLDMOS器件在垂直方向上的PNP穿通问题与传统结构
信息技术是十分重要的一门学科,是在信息时代的驱动下逐渐衍生出来的一门新课程,负责培养学生的信息素养,使其能够自主利用信息技术处理生活、学习问题,而这就更易于促使学生
数学是小数教学的一门重要课程,对学生而言尤为重要,对学生的整个初级阶段的学习起着决定性的作用.数学教学不单是要教会学生数学理论知识,更重视的是学生逻辑思维能力的全面
在小学英语学习中,有效课堂提问是发展学生高阶思维能力的重要途径.阅读的环节一班可分为三个环节,分别是语篇教学的读前、读中和读后三个环节,教师可以分别从紧扣主题设问、
随着器件特征尺寸的不断缩小，栅氧化层的厚度也随之不断减小，薄栅介质的可靠性成为研究的重点之一。综述了薄栅氧器件的击穿机理、物理模型和栅氧寿命的数学模型。
采用WHO精神疾病流行病学调查法，对无锡地区20万人口框架进行整群2％抽样调查精神发育迟滞患病率，结果发现＞14岁组城乡分别为1．99‰和2．14‰，无显著性差异；7～14岁患者城乡分别为0和1．61
介绍了具有自主知识产权的微波低噪声锗硅(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)，给出了器件的基本结构及它的基本工艺流程。通过对集电区埋层、外延浓度和厚度，选择性离子注入、锗
新课程改革背景下,如何能在《道德与法治》教学中更好的渗透传统文化教育,已经成为小学道德与法治教师重要教学任务之一.小学道德与法治教师要积极转换教学理念,将传统文化有