【摘 要】
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随着功率器件技术的快速发展,基于传统的Si材料以及第二代半导体材料的功率器件已经无法满足实际应用中快速、低损耗等的迫切需求.GaN作为第三代半导体代表,具有宽禁带、高临
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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随着功率器件技术的快速发展,基于传统的Si材料以及第二代半导体材料的功率器件已经无法满足实际应用中快速、低损耗等的迫切需求.GaN作为第三代半导体代表,具有宽禁带、高临界击穿电场强度,高的电子迁移率,高电子浓度和高热导率等特性.所以,GaN HFET与Si器件相比,可以在高功率,高频和高温下操作,实现低损耗、高开关特性以及高耐压的应用.基于GaN材料功率器件的上述优点,可以提高应用系统的转化效率并实现体积小型化,降低了应用系统的成本.本文报道了一种具有低漏电,低导通电阻且可以耐压600V的Si基AlGaN/GaN MISFET器件的基本性能.本公司采用现有的GaN功率器件设计及制造技术，在Si基GaN上还实现了耐压从200V~1200V，电流从0.5A~25A等一系列产品，同时在sapphire基GaN上实现了耐压2000V的产品。
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