【摘 要】
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为了深入分析器件的关键结构和工艺参数对毫米波器件频率特性的影响,本文首先制作了90nm栅长的不同栅宽AlGaN/GaN HEMT器件,其fT、fmax最高分别可达84.8GHz和128.2GHz.然后基于器件直流特性和S参数的测试结果,建立了20元件的小信号等效电路模型并提取了相关的寄生和本征参数.再结合器件理论物理模型和软件仿真计算结果进行了全面的对比分析.研究表明:台面刻蚀工艺会导致该类器件中
【机 构】
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电子科技大学 微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 专用集成
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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为了深入分析器件的关键结构和工艺参数对毫米波器件频率特性的影响,本文首先制作了90nm栅长的不同栅宽AlGaN/GaN HEMT器件,其fT、fmax最高分别可达84.8GHz和128.2GHz.然后基于器件直流特性和S参数的测试结果,建立了20元件的小信号等效电路模型并提取了相关的寄生和本征参数.再结合器件理论物理模型和软件仿真计算结果进行了全面的对比分析.研究表明:台面刻蚀工艺会导致该类器件中存在由台面边缘效应而产生的台面边缘电容,经参数提取获得该台面边缘电容值为3.47fF/μm2,该结果与理论模型计算以及已报道的实验数据基本一致.该研究结论为进一步提高GaN毫米波器件的频率特性提供了有效的解决思路.
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采用磁控溅射技术研究了溅射温度对各向异性Ni80Fe20磁阻薄膜特性的影响.提高溅射温度给薄膜原子提供了能量,使薄膜原子在基片表面运动再分布,减少了膜内晶粒之间以及与基片之间的应力,改善了晶格结构和薄膜表面粗糙度,进而改善了薄膜的磁阻特性;溅射温度过高会导致Ni80Fe20与Ta缓冲层之间的互扩散,影响Ni80Fe20材料的磁特性.经过试验验证和综合分析,280℃的溅射温度可以制备出磁性参数较好的
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