【摘 要】
：
虽然GaN基发光二极管已经实现了广泛的商业化应用,但其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果.其主要问题在于器件在大电流下发光效率会显著降低.研究表明,相比于传统的Ga
【机 构】
：
集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春,130012
【出 处】
：
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
论文部分内容阅读
虽然GaN基发光二极管已经实现了广泛的商业化应用,但其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果.其主要问题在于器件在大电流下发光效率会显著降低.研究表明,相比于传统的Ga极性GaN基发光二极管,N极性GaN基发光二极管在大电流下有更好的发光表现.然而,在N极性GaN薄膜的制备过程中表面会形成大量的六方缺陷,其引入的施主型杂质会使N极性GaN薄膜具有较高的背景电子浓度,这使得N极性GaN的p型掺杂面临着巨大的挑战.为此,首先采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上制备了高质量的N极性GaN薄膜.通过优化生长条件，有效地抑制了N极性GaN表面六方缺陷的形成。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。制备的N极性GaN薄膜(0002)摇摆曲线半峰宽达到了～30arcsec，这证明制备的N极性GaN具有较高的晶体质量。
其他文献
氮化镓(GaN)以其优异的物理化学性质和光电特性在高温、高压和高频器件等电子领域有着广泛的应用.国内外GaN纳米材料的生长方法主要包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束
第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)具有击穿电场高、电子饱和迁移率高、热导率高、耐腐蚀等优良的物理化学特性,非常适合于制作高温、高频、大功率器件,在航空航天、电
本文利用激光分子束外延技术(L-MBE)在(0001)蓝宝石衬底上沉积了β-Ga2O3薄膜，并分别对薄膜的结构，光学以及光电性能进行了研究.XRD分析结果显示，该薄膜具有(-2 0 1)取向，高
氮化铝(AlN)的禁带宽度大、热导率高、与铝镓氮(AlGaN)的晶格适配小,是AlGaN基紫外LED以及高频大功率电力电子器件的理想衬底材料.氢化物气相外延(HVPE)在制备GaN单晶膜厚方
By flowing the conventional GaN template surface with Trimethylgallium(TMGa)in H2 and low NH3 ambient at low temperature followed by high-temperature anneal
实验通过对AlN表面台阶聚并行为进行深入研究,发现AlN表面台阶聚并行为与Ⅴ/Ⅲ比以及三甲基铝(TMA)的流量有着密切的联系.实验中,进一步控制Ⅴ/Ⅲ比以及TMA的流量,最终获得了
二元氮化物根据四面体中原子的排列顺序不同,可将晶体结构分为三种:纤锌矿结构(WZ),闪锌矿结构(ZB)和岩盐矿结构.其中六方纤锌矿Ⅲ族氮化物为稳定结构,在通常生长条件下为主
本文使用AIXTRON公司生产的3×2"MOCVD设备,在6H-SiC衬底上,先后生长100nmAlN缓冲层,梯度AlxGa1-xN层,以及1.5μm GaN薄膜.为了验证梯度AlxGa1-xN层对GaN薄膜质量与应力的影
By Mg pretreatment of the bottom GaN barrier surface,the growth behavior of the high indium content InGaN/GaN quantum wells(QWs)changed greatly;the interfac
GaN基半导体材料是直接带隙半导体且禁带宽度从紫外波段到红外波段连续可调,因而被广泛应用于制作发光二极管和激光器等方面.一般商品化的GaN基LED是通过金属有机物化学气相