双路输出LDO的抗总剂量加固技术研究

来源 :第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：R_Edge

【摘要】

：

本文介绍了一种星用CMOS双路输出LDO的研制.在电路设计上,采用PMOS管作为调整管、E/DNMOS基准,在工艺上,采用开发的1.5μm硅栅自对准CMOS加固工艺.该低压差电源具有:输出电流

【作者】

：

胡永贵高伟朱冬梅

【机构】

：

信息产业部电子24研究所,重庆,400060

【出处】

：

第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

双路输出总剂量输出电流硅栅自对准低压差电源输出电压可调输出加固工艺剂量水平电源电流电路设计调整管开发基准

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

本文介绍了一种星用CMOS双路输出LDO的研制.在电路设计上,采用PMOS管作为调整管、E/DNMOS基准,在工艺上,采用开发的1.5μm硅栅自对准CMOS加固工艺.该低压差电源具有:输出电流1A、压差为0.5V的3.3V固定输出;输出电流1A、输出电压为1.5V～6V的可调输出;静态电源电流小于200μA,其总剂量水平可达3×105rad(Si)以上.

其他文献

典型CMOS存储器总剂量辐照效应研究

本文通过改变存储器辐照时施加的偏置状态(动态检测或不加电)和不同剂量辐照后的退火条件,在线测得EEPROM和FLASHROM存储器逻辑状态翻转随总剂量和辐照后退火条件的变化关系;

会议

存储器总剂量辐照逻辑状态翻转退火条件不同剂量集成度总剂量效应抗辐射加固温度条件评估技术偏置状态动态检测变化关系转异常试验器件价值

CMOS器件脉冲总剂量损伤以及退火效应测试技术研究

对两套不同的测试系统,包括HP4156半导体参数自动化在线测试系统以及瞬时退火测试系统进行了详细的介绍,说明其工作原理和技术指标,并利用这两套系统对典型CMOS器件进行了脉

会议

器件脉冲总剂量损伤瞬时退火效应在线测试系统时间关联快速采集技术指标工作原理电压曲线自动化时间点半导体基础电流参数

LSI抗辐射加固技术

本文阐述了CMOS电路的辐射效应，介绍了LSI电路设计、工艺等方面的抗辐射加固技术,以及取得的一些科研成果.

会议

抗辐射加固技术科研成果辐射效应电路设计工艺

利用复合场介质提高场区抗辐射性能

辐照会引起MOS管阈值电压产生漂移,使场寄生管导通而引起漏电流增大.为此,我们希望找到一种方法能有效地降低辐照后场区正电荷累积,提高场区抗辐射性能,使辐照后电路漏电流增

会议

空间带电粒子望远镜原理样机的研究

空间存在这覆盖元素周期表中所有原子序数的离子以及电子,带电粒子有连续的能谱,能量范围从几eV、几百eV直到1022eV,因此用于空间辐射环境监测探测的仪器设计需考虑空间应用

会议

空间带电粒子望远镜仪器设计辐射环境监测元素周期表原子序数能量范围空间应用方法设计原理验方探测能谱离子电子

一种新型ESD保护结构

对于高速CMOSLSIS电路,ESD(electrostaticdischarge)保护结构越来越受到人们的重视,已经设计和开发出许多保护结构.在这篇文章中主要介绍一种新型共同释放路线CDL(commondisc

会议

保护结构共同释放路线内部电路保护器件设计开发

CCD质子和γ射线辐照试验研究

本文分析了CCD电离辐射效应和位移辐射效应.用10MeV质子和钴60γ射线对CCD进行了辐照试验.分析比较了质子和γ射线辐照实验结果,得出质子辐照时CCD失效是电离效应和位移效应

会议

质子辐照γ射线辐照空间辐射效应位移效应电离效应辐照试验辐照实验同作用推断失效评估

卫星在轨带电研究

卫星在轨工作时,尤其是地球同步轨道(GEO)卫星,因空间热等离子体,使卫星相邻表面不等量的带负电位至数千伏,当其超过材料绝缘强度时,发生不同于地面静电放电的卫星表面间静电

会议

一种星用抗辐射加固大电流PIN驱动器的设计考虑

本文介绍了一种星用大电流PIN驱动器的抗辐射设计,主要考虑了氧化层中的电荷对硅表面导电性能改变所造成对电路的影响,通过摸底试验验证,经过电路版图和工艺的优化设计,电路

会议

抗辐射加固大电流驱动器电路版图辐射总剂量优化设计性能改变试验验证辐射设计氧化层硅表面工艺电荷导电

一种星用CMOS多功能电平交换器的研制

本文介绍了一种全定制正向设计的星用CMOS多功能电平交换器,并对其工作原理、制作工艺、技术性能及可靠性设计等进行了简要描述.该产品具有功耗低(≤5mW),开关速度快(输出延

会议

多功能最高工作频率输出一致性可靠性设计电平交换器制作工艺正向设计开关速度技术性能工作原理总剂量全定制延迟描述雷达功耗产品

双路输出LDO的抗总剂量加固技术研究

与本文相关的学术论文