【摘 要】
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为了减小栅漏电流,本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga 0.755N/GaN异质结构间插入了3nm的薄铝层,并对这种新结构的肖特基结和传统Ni/Au肖特基结伏安特性和高温反偏漏电机制做了比较,结果表明铝薄层的插入明显改善,肖特基结的伏安特性高温下新型肖特基结的栅漏电流也小于传统的Ni/Au肖特基结,且漏电随着温度上升的速度也比较小,这归结于Al和Al0.245Ga0.755N势垒层表面的吸附氧杂
【机 构】
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天津大学光电信息科学技术教育部重点实验室,天津 300072 北京大学物理学院,人工微结构和介观物
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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为了减小栅漏电流,本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga 0.755N/GaN异质结构间插入了3nm的薄铝层,并对这种新结构的肖特基结和传统Ni/Au肖特基结伏安特性和高温反偏漏电机制做了比较,结果表明铝薄层的插入明显改善,肖特基结的伏安特性高温下新型肖特基结的栅漏电流也小于传统的Ni/Au肖特基结,且漏电随着温度上升的速度也比较小,这归结于Al和Al0.245Ga0.755N势垒层表面的吸附氧杂质之间的反应,生成了Al2O3绝缘层,抑制了与陷阱有关的隧穿电流和热电子场发射的趋势,因此改善了肖特基结的高温可靠性。
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