Stress effect on Al and Ga incorporation in AlGaN epitaxial growth

来源 :第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nxbys

【作者】

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【机构】

：

State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics,School of Physics,Peking Un

【出处】

：

第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

【发表日期】

：

2015年期

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