纳米间隙电极的制备及其在纳米器件研究中的应用

来源 :第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aileensa
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文所涉及研究的目标是借助普通光刻结合光刻胶工艺、结合分子组装工艺等的选择性化学沉积法来获得电极间距可小于100nm的电极,同时研究这种电极结构应用于诸如单电子器件、DNA器件等纳米器件的研制.单电子器件是纳米器件发展中的一个重要内容.单电子器件的制备需要制作具有纳米尺度间距的电极,以及在电极间规则排列的库仑岛.通过的制备技术需要高分辨率的电子束"直写"光刻设备等条件,投资巨大,同时工作效率不高.通过条件研究,已可采用普通光刻结合光刻胶工艺、以及结合分子组装工艺等的选择性化学沉积法来获得在氧化硅表面的、电极间距可小于80nm的Cu电极.采用双功能有机分子(MPTS)作为结合组装与电极间距之间硅基表面,同时另一端作为铆定端,铆定有关的纳米微粒,如纳米金颗粒(10nm)等,实现了单电子原型器件的制作.基于KEITHLEY9000对所制作器件的直流伏-安特性进行了测量,结果显示出典型单电子器件因库仑阻塞所导致的电流平台.根据经典模型,采用Monte Carlo方法对器件特性进行了仿真,初步结论为,在外加低偏压条件下,器件的伏-安特性只与几个纳米粒子有关.这也表明:由于双功能分子组装排列库仑岛具有一定的随机性,一些颗粒相互连接导众多颗粒排列情况下,也只有若干个颗粒起作库仑岛的作用.为了进一步规则排列这些纳米微粒,采用DNA分子诱导排列的方式.已采用流体法结合分子组装实现了λ-DNA分子的取向排列,和在DNA分子上结合纳米微粒.此外,发现直流电场对巯基DNA在金电极表面的组装有很大的影响,初步找出对一定长度链段影响组装的电压区,为分子可控组装探索出一种方法.相关工作正在进行中.
其他文献
该文报道了Si〈,0.7〉Ge〈,0.3〉/Si多量子阱PIN光电探测器的研制结果,反向偏压为4V时的暗电流密度为50pA/μm〈’2〉,量子效率在峰值0.95μm处为20℅,响应波长扩展到1.3μm以上,在1.3μm处量了效率为0.1℅。
该文简述了利用现有LSI测试系统资源,外加极少量的硬件,实现CMOS电路I〈,DDQ〉的快速检测,使测量DUT每一个结点逻辑电平“1”和“0”状态下的I〈,DDQ〉成为可能。
该文主要讨论了CoSi〈,2〉SALICIDE结构对CMOS/SIMOX器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响。通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi〈,2〉 SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用。与多晶硅栅器件相比,采用CoSi〈,2〉SALICIDE结构的器件经过辐照以后,器件的阈
高速、高分辨ADC在国民经济中的需求日显迫切,其性能参数可分为静态参数、动态参数、常规参数等几大类,其动态参数的测试尤为重要,它既在研制过程中提供重要的反馈信息,也是生产过程中提供高质量电路的保证。为超前于国内ADC的研制和生产,作者收集了国际、国内ADC产品的详细资料,对12个重要动态参数的测试原理和方法进行了深入的研究,并在该所购买的LTX SynchroⅡ测试系统上编程实现;构成了基于该系
碳化硅是目前宽带隙半导体材料研究的热点之一。它具有禁带宽度大,热导率高,电子的饱和和漂移速度大,临界击穿电场强度和介电常数低等特点。在高频、大功率、耐高温、抗辐射的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。该文报道了使用超高真空化气相沉积法(UHV-CVD)生长硅基碳化硅薄膜,使用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收光谱分析手段对薄膜的组分及结构进行了研究。
随着微电子技术的发展,尤其是铁电薄膜制备技术的发展,新型不挥发非破坏性读出存储器MFIS研究近年来受到人们普遍关注。制备MFIS存储器的铁电薄一般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜,介质层一般选用ZrO〈,2〉作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能。在MFIS的研制中,对SBT薄膜和ZrO〈,2〉薄膜的刻蚀是关键工艺之一。该文研究了用反应离子刻蚀方法,以SF〈,6〉和Ar作为反应气体刻蚀SB
实验研究表明875°C下N〈,2〉O退火氮化可明显改善7nmSiO〈,2〉栅介质可靠性。氮化栅介质抗FN应力损伤能力增强,表现为Si/SiO2界面态产生受到抑制、体内电子陷井产生速率降低、空穴和电子俘获陷阱减少;氮化降低栅介质内是缺陷密度,提高了栅介质本征击穿性能和完整性;氮化栅介质还表现较强的防止硼扩散到硅衬工能力。还对氮化提高栅介质可靠性的机理进行了探讨。
该文报道了作者研制成功的增强型InGaP/InGaAsPHEMT异质结器件。该器件以InGaP作为势垒层兼腐蚀栅槽的截止层。因而获得了很好的阈值控制。通过选择合适的势垒层厚度和掺杂浓度,获得了阈值电压接近零伏的增强型PHEMT器件。其最大跨导265mS/mm,源漏击穿电压大于7V,输出截止特性好。栅极肖特基结正向开启电压为0.7V,反向击穿电压大于12V,在-3V反偏处,漏电流小于10nA。由于该