【摘 要】
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BiTiO介电薄膜具有较高的介电常数,可用于制备新型绝缘栅场效应器件.我们采用化学溶液沉积法制备了φ75mmBiTiO介电薄膜,介电常数大于123,厚度不均匀性少于5℅,外加10V电压时
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室(山东济南)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
Bi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜具有较高的介电常数,可用于制备新型绝缘栅场效应器件.我们采用化学溶液沉积法制备了φ75mmBi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜,介电常数大于123,厚度不均匀性少于5℅,外加10V电压时,各点漏电流小于5×10<-8>A/cm<2>,表明Bi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜绝缘性高、介电常数和厚度均匀,适合于制备新型绝缘栅场效应器件.
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