应变SiGe材料掺杂浓度与电阻率关系曲线的建立

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xueyanli122

【摘要】

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为了能准确简便地确定应变SiGe材料的掺杂浓度,本文在研究应变SiGe材料迁移率模型的基础上,采用MATLAB编程模拟仿真,求解并建立了不同Ge组分下N型与P型应变SiGe材料掺杂浓度

【作者】

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王伟戴显英张鹤鸣

【机构】

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西安电子科技大学微电子研究所(陕西西安)

【出处】

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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

【发表日期】

：

2003年期

【关键词】

：

薄膜材料掺杂浓度电阻率关系曲线迁移率模型浓度测试模拟仿真对比实验变化趋势重掺杂四探针定应变电化学组分样品验证求解基础编程

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为了能准确简便地确定应变SiGe材料的掺杂浓度,本文在研究应变SiGe材料迁移率模型的基础上,采用MATLAB编程模拟仿真,求解并建立了不同Ge组分下N型与P型应变SiGe材料掺杂浓度与其电阻率的关系曲线.讨论了重掺杂与轻掺杂两种情况下关系曲线的变化趋势.通过SiGe薄膜材料样品的四探针电阻率测试及电化学C-V掺杂浓度测试的对比实验,对本关系曲线进行了验证.

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