【摘 要】
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本文讨论了利用LPMOCVD技术在旋转石墨基座上生长与InP匹配的InGaAs材料,并且研究生长条件(生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、缓冲层厚度、AsH与PH转换时间)对InGaAs的光致发光谱形状和半
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【出 处】
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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议
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本文讨论了利用LPMOCVD技术在旋转石墨基座上生长与InP匹配的In<,0.53>Ga<,0.47>As材料,并且研究生长条件(生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、缓冲层厚度、AsH<,3>与PH<,3>转换时间)对InGaAs的光致发光谱形状和半峰宽的影响,研究了In<,0.35>Ga<,0.47>/InP的变激发强度和变温光致发光谱,从而进一步分析InGaAs外延层的光致发光谱峰值随温度的变化.
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