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拓扑绝缘体Bi2Se3和(Bi1-xSbx)2Te3高质量薄膜的分子束外延生长及其电输运性质研究
【机 构】
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中国科学院物理研究所,表面物理国家重点实验室,北京,100190
【出 处】
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第十二届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2017年期
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