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大数据时代的到来以及信息爆炸的现状使得人们日常生活中对于信息处理速度和信息存储容量的要求逐渐提高。虽然闪存（Flash存储）技术仍然是当今主流的存储手段,但必须承认的是其已经变得渐渐不能满足信息处理与存储的需求,发展新型的非易失性存储技术迫在眉睫。阻变非易失性存储技术由于成本低、功耗低、操作速度快、结构简单、集成度高、稳定性好等优势成为了极具竞争力的新一代非易失性存储技术之一。此外,伴随着智联网（人工智能+物联网,AIo T）和可穿戴设备的发展,新型的电子器件变得更加的小型化、柔性化和透明化,存储器件作为组成电子产品的重要一环也需要具有柔性和透明的特征。因此,为了适应未来电子器件的发展趋势,透明柔性非易失性阻变存储器件的研究变得十分有必要。近些年海内外企业及高校对于阻变存储器件的研究十分火热,但在阻变存储器的阻变材料选择、阻变存储的机制等方面仍然持有不同观点,这对于阻变存储器的发展是不利的。本论文中以云母作为衬底,通过脉冲激光沉积技术直接在高温环境中沉积了使用BaTi0.95Co0.05O3作为阻变功能层的半透明柔性以及全透明柔性的两种存储器件,分析了柔性器件在弯曲状态下的断裂机制,通过选取不同的电极材料及结合相关实验测试拟合等手段对两种器件的阻变机理和阻变模型做了细致的研究分析,同时也研究了两种器件在平整状态、弯曲状态、变光照及变温条件下的性能稳定性。研究的主要结果概括如下:（1）半透明柔性mica/SrRuO3/BaTi0.95Co0.05O3/Au阻变存储器件的抗机械弯曲性能及阻变存储性能研究。对于ABO3型钙钛矿氧化物材料而言,其陶瓷材料或者单晶材料通常都是坚硬并且容易破碎的,这是由它们自身最大弹性应变较小所导致的。本论文成功在10μm厚的云母衬底上以SrRuO3为缓冲层制备出了大面积的沿[110]方向择优生长的BaTi0.95Co0.05O3薄膜。该样品在以2.2mm为弯曲半径的状态下可以保证样品结构和形貌不被破坏,其在500nm-800nm的可见光波段保持半透明的状态。生长完Au上电极之后,在±17V的电压下,器件表现出典型的双极型阻变的特性,开关比（On/Off ratio）可以达到50。通过对器件所用材料的分析及相关实验表征,我们验证了该器件的阻变机制属于化学价变价机制,其导电模型应该属于氧空位主导的导电细丝模型。器件在弯曲半径分别为2.2mm的弯曲状态下擦写36万次以及3mm的状态下弯曲1万次之后,阻变存储性能没有明显的损失。值得一提的是在500°C退火后或者180°C的环境下,器件均可以正常工作。上述的特性可以表明该器件完全满足柔性阻变存储器件在实际生活中的应用。（2）耐高温、透明、柔性Ag掺杂氧化铟锡（ITO）薄膜的研究。ITO材料是目前工业界最成熟的透明导电薄膜之一,但由于ITO自身抗机械弯曲能力差,导致了其不能很好的应用在柔性电子器件上。本论文中通过在高温下生长Ag掺杂的ITO薄膜（Ag-ITO）成功的改善了ITO薄膜自身抗机械弯曲性能差及高温稳定性差的缺点。实验发现,Ag掺杂量为2.7wt%的Ag-ITO薄膜性能最佳,Ag掺杂量过少会导致薄膜在弯曲过程中破碎,Ag掺杂量多会导致Ag元素在晶界处析出。2.7wt%Ag掺杂量的Ag-ITO薄膜在400nm-800nm的可见光波段的透光率达到了80%以上。弯曲半径为3mm的状态下,弯曲10000次前后,薄膜方阻始终稳定在20Ω/□;在25°C到600°C的变温及退火测试中,该薄膜的方阻也保持相对稳定。通过测试及分析可以说明,Ag-ITO是一种良好的耐高温柔性透明导电薄膜。（3）透明柔性mica/Ag-ITO/BaTi0.95Co0.05O3/Ag/ITO阻变存储器件的抗机械弯曲性能及阻变存储性能的研究。结合论文中之前的研究内容,首次报道了无需转移的方法制备透明柔性无机钙钛矿薄膜阻变存储器件的工艺。Mica/Ag-ITO/BaTi0.95Co0.05O3/Ag/ITO阻变存储器件在400nm-800nm的可见光波段的透光率达到了75%以上。器件具有典型的单极型阻变存储特性,由于降低了BaTi0.95Co0.05O3层的厚度,器件可以在2V以内的操作电压下成功实现高低阻态的转变,完全符合日常使用中的存储器件对于驱动电压的要求。通过对I-V曲线的拟合分析以及结合使用的电极材料,能够说明该器件的阻变机制属于电化学金属化机制,其导电模型属于Ag元素主导的导电细丝模型。使用50ns的电压脉冲可以实现高低阻态的反转,说明其擦写速度较快。在经历了14400次弯曲半径为3mm的弯曲后,器件的阻变存储性能没有任何衰减,说明器件的抗机械弯曲性能良好。此外,通过阵列样品的测试及导电原子力对微区的测试,在一定程度上也说明了该器件具有高密度存储的潜力。总之,本文详尽介绍了mica/SrRuO3/BaTi0.95Co0.05O3/Au和mica/Ag-ITO/BaTi0.95Co0.05O3/Ag/ITO两种阻变存储器件在平整、弯曲、光照及变温条件下的阻变存储性能,并且对于两种器件的阻变机制及阻变模型做了分析。此外,制备了高性能的mica/Ag-ITO透明柔性导电薄膜,希望本论文中的工作对于新型的透明柔性阻变存储器的发展起到一定帮助。