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本工作利用静电纺丝法制备Cr掺杂ZnO稀磁氧化物半导体纳米纤维。对样品进行合成的过程分析，结果的表征以及荧光特性、稀磁特性等的测量。并通过研究气氛处理对样品的影响，探究过渡金属Cr掺杂ZnO半导体纳米纤维的磁性来源。主要内容如下：
透过XPS确定掺杂样品的Cr为3+，表示Cr掺杂为空穴型掺杂。
室温PL测量结果表明Cr掺杂样品样品存在很强的缺陷发光，而样品的本征发光被压制了。通过对缺陷包络的分峰处理，发现各缺陷能级与样品的磁性质存在关联。
比较不同气氛下处理的Cr掺杂ZnO纳米纤维的磁性质，发现H2处理使样品的磁性显著增强，而O2却没有产生明显的改变。
结合PL谱进行缺陷分析，提出双磁源竞争机制解释样品在不同气氛下的磁性行为。