【摘 要】
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荧光半导体纳米晶(量子点，QDs)因其具有不同于对应的体相材料的尺寸依赖光电特性，在基础研究和工业应用如发光材料，激光，生物医学荧光标记等领域引起人们广泛的兴趣。强的荧光发
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荧光半导体纳米晶(量子点，QDs)因其具有不同于对应的体相材料的尺寸依赖光电特性，在基础研究和工业应用如发光材料，激光，生物医学荧光标记等领域引起人们广泛的兴趣。强的荧光发射和良好的稳定性是QDs在很多工业应用(包括发光二极管，激光，探测器和标记)的前提条件。通过调节粒子尺寸，CdTe QDs发光波长可以覆盖整个可见光区，因此成为被研究得最多的半导体材料之一。
已经证实，用宽能带的无机材料对纳米晶表面进行钝化，可以提高其发光效率和稳定性。本论文采用SILAR法在非配位溶剂十八烯(ODE)中分别在CdTe核周围外延生长CdS和CdSe壳层。通过对所选配体的配位作用和活化作用的平衡，可以得到高荧光强度的CdTe/CdS和CdTe/CdSe核/壳纳米晶。通过改变CdTe核纳米晶的粒径以及壳层厚度，得到的核/壳纳米晶的发射波长可以覆盖可见光及近红外区域。对各样品的紫外吸收和荧光发射光谱的研究表明：产物光学性质优良，荧光量子产率高、半峰宽窄。并通过TEM、XRD等测试方法对产物的结构进行了确证。得到的高质量的CdTe/CdS和CdTe/CdSe QDs在实际应用中可以替代CdSe体系的QDs作为发光源，尤其是在深红和近红外(NIR)区域的应用，而CdSe体系QDs通常在这一区域荧光性质较差。
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