Al2O3是一种新型的Ⅲ-Ⅵ族宽禁带半导体材料，Al2O3薄膜在从紫外至中远红外光谱范围内透明度高、吸收小，具有良好的物理和化学性质，是目前最常用的中折射率光学材料。为了减少多晶结构对光的散射和吸收，在光学元件中一般要求Al2O3薄膜为非晶结构;磁控溅射技术可以沉积高密度的非晶薄膜，具有很好的重复性，被广泛应用于光学镀膜工业。　　 本文以玻璃为衬底、采用直流反应磁控溅射技术和自主研发的能量过滤磁控溅射技术制备了非晶的Al2O3薄膜，用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、椭偏光谱仪(VASE(@)型)对薄膜的晶体结构、表面形貌、生长速率和光学常数进行了表征;研究了直流反应磁控溅射镀膜技术制备Al2O3薄膜时工艺参数对Al2O3薄膜光学性能的影响。主要内容如下:　　 1.介绍了Al2O3薄膜的性质、应用领域、主要的制备方法。　　 2.对反应溅射制备Al2O3薄膜时氧分压的影响做了数学分析，并对反应溅射中的迟滞曲线进行了研究。　　 3.研究了衬底温度、溅射功率、溅射气压和氧氩比几个主要工艺参数对Al2O3薄膜晶体结构、表面形貌、生长速率和光学常数的影响。发现用直流反应磁控溅射技术制备Al2O3薄膜时，薄膜由非晶态向晶态的转变温度为500℃，在常温下制备的Al2O3薄膜均为非晶结构，氧氩比过低时制备的薄膜的X衍射谱线会出现金属铝的衍射峰;衬底温度、溅射功率、氧氩比、溅射压强过大都会使薄膜的表面变的粗糙;Al2O3薄膜的生长速率随着溅射功率的增大、氧氩比的减小、溅射压强的降低而增大，随衬底温度的升高先降低后趋于稳定;衬底温度为室温时制备的Al2O3薄膜折射率均偏小，随衬底温度的升高逐渐变大。　　 4.用自主研发的能量过滤磁控溅射技术制备了Al2O3薄膜，并与采用相同工艺参数、使用传统直流磁控溅射技术制备的Al2O3薄膜进行了对比，发现该技术能明显降低薄膜表面的粗糙程度。