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该文研究的槽栅MOS器件是一种适应深亚微米特征的新器件,其器件的工艺并不复杂 ,可以有效的提高深亚微米器件的性能和可靠性.由于栅氧化层的拐角效应,槽栅器件可以有效的抑制短沟道效应.槽栅器件可以抑制漏诱导势垒降低效应和阈值电压下降,同时它还可以降低沟道横向电场,抗热载流子效果明显.该文通过对不同结构参数的槽栅器件理行模拟,得到结深、槽栅拐角角度对槽栅器件的性能及热载流子效应的影响.