氧化铟作为一种n型半导体功能材料,因较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性,已被广泛用于光电材料、气敏传感器、催化剂等方面。氧化铟纳米材料相比传统体相材料具有更为优异的性能,随着各种形貌氧化铟纳米材料的出现,成为太阳能电池、场发射体、晶体管、光催化等领域的研究热点。本文采用化学气相沉积法可控制备了火柴棒式及塔式氧化铟纳米材料,对其生长机制进行了分析与讨论。同时还获得多种形貌氧化铟纳米材料,对其进行了XRD、电镜等表征测试,实验结果如下:(1)通过化学气相沉积法制备了火柴棒式、塔式、蘑菇片式、纳米线及纳米球等多种形貌的氧化铟纳米材料。(2)通过化学气相沉积法可控制备了塔式氧化铟纳米材料,系统研究生长条件(反应温度、纳米金颗粒尺寸等)以及生长机制和生长动力学等因素对纳米塔的形貌和微结构的影响,确认纳米塔生长方式为V-L-S生长机制与表面扩散生长机制协同作用的结果。拉曼测试表明:受纳米材料声子限制效应的影响,塔式氧化铟纳米材料的拉曼峰出现红移现象。紫外-可见吸收光谱测试表明:260nm、310nm的紫外吸收峰源于晶格中的氧空位缺陷,塔式氧化铟纳米材料的平均带隙宽度值为3.20ev。(3)通过化学气相沉积法可控制备了火柴棒式氧化铟纳米材料,实验发现温度越高、纳米金颗粒尺寸越大、反应时间越长使得火柴棒式氧化铟头部尺寸、身体的直径及平均长度越长。EDS面扫测试表明合成的纯净火柴棒式氧化铟纳米材料归属于V-L-S生长机制。紫外-可见吸收光谱测试观测到360nm的及425nm的蓝绿吸收峰,这是由氧空位和表面缺陷形成的局域态共同引起的。