在如今高度信息化的社会中,人们对信息的速度和准确性的要求水涨船高,这就意味着对于大规模数据的稳定、高效存储已经成为信息化的必然需求,高密度数据存储的应用前景和性能要求也必将随着时间推移逐渐提高。如何保证存储数据稳定性是需要重点关注的问题,目前主流的存储器主要分为独立式存储和嵌入式存储。针对两种类型的存储器,选择较为有代表性的闪存（Flash）和磁存储器（MRAM）,Flash在高温下很容易降低数据的保持时间,MRAM因为其在常态下的数据保持时间较长,想要提取数据保持时间需要的测试时间十分漫长。为此,针对这两款存储器的保持特性展开研究,主要研究内容如下:1.针对新型Flash存储器和MRAM存储单元数据保持特性,测试对比新型Flash单元与基础Flash单元的数据保持,通过在不同温度下磁场加速测试MRAM存储单元,探讨不同温度下的器件翻转随温度影响。2.可编程线性随机存储器（Programmable Linear Random-Access Memory,PLRAM）的数据保持特性研究,提出了基于Flash结构的新型随机存储器结构,优化了Flash存储单元的结构和几何形状,以将编程/擦除操作和栅极氧化物解耦。其利用双向Fowler-Nordheim隧穿侧壁氧化物的原理来进行编程和擦除操作,避免栅极氧化物受到来自过度编程/擦除循环的应力,显著改善PLRAM的数据保持特性。并且提高了PLRAM在高温应力下的精度。3.MRAM（Magnetic Random Access Memory,MRAM）保持特性研究,针对MRAM提出了一种器件串联结构,可以直接监控器件的统计特性。从而实现准确、高效的大规模并行测试。基于这种方法,使用统计畴壁切换模型研究了自旋转移矩MRAM（STT-MRAM）从12 K到300 K的热稳定系数。与自由层相比,合成反铁磁层更不受温度变化的影响。并研究了温度对畴壁收缩性能影响。