显示技术的飞速发展对显示材料和器件提出了更低成本、更环保的要求。掺镓氧化锌（GZO）材料不含In元素绿色无毒,同时GZO薄膜既可以用作薄膜晶体管（TFT）的有源层,也可以用作TFT的电极层,有利于简化器件制备流程降低成本。本论文针对GZO薄膜展开系统研究,并将优化后的GZO薄膜尝试用于制备TFT的有源层和源漏电极,可为绿色环保TFT器件的研究提供参考。首先,本论文对脉冲激光沉积法制备GZO薄膜进行了系统研究。探究了脉冲激光沉积的激光能量、激光频率、薄膜厚度、沉积氧压、退火温度和Ga掺杂含量对GZO薄膜的结构、形貌、光电特性等的影响。结果表明:（1）激光能量和激光频率分别为450m J和5Hz时,GZO薄膜光电性能最优且缺陷态密度最低;（2）当GZO薄膜厚度为65nm时,薄膜电阻率低于3×10^-5Ω·m,同时光透过率可以达到81.57%。超薄的GZO薄膜表面粗糙度小,表面缺陷态少,且为非晶态,有望应用在TFT的有源层中;（3）氧压的上升会使得薄膜的导电性急剧下降,这是因为氧气可以进入薄膜填充氧空位;（4）Ga₂O₃含量为2wt%的GZO靶材制备的薄膜光电性能最优;（5）制备的GZO薄膜具有较低的相转变温度（300℃）,这是因为脉冲激光打出的等离子体本身具有高温高密度的特点,说明PLD法有助于降低退火温度。其次,对GZO有源层的TFT器件进行研究,探究了有源层厚度和沉积氧压对TFT性能的影响。结果表明:过薄的有源层载流子浓度太低,过厚的有源层关态电流较大且粗糙度高,最佳膜厚在27nm左右;未通氧的器件会呈现高导态,氧气浓度过高时易生成Ga _Zn-O_in和Ga _Zn-V_Zn等受体缺陷型络合物,最佳的沉积氧压为1.0Pa。最佳的器件性能对应μ_sat为12.32 cm²/V·s,I_on/I_off为9.17×10⁶,V_th为4.93V,SS为1.53 V/dec。最后,对GZO源漏电极的TFT器件进行研究,探究了Ga掺杂含量和退火温度对TFT性能的影响。结果表明当采用Ga₂O₃掺杂为2wt%的GZO靶材室温制备源漏电极时,器件性能最佳且偏压稳定性最好。器件的NBS基本无漂移,PBS正漂移低至2V,μ_sat为12.22cm²/V·s,I_on/I_off为6.4×10⁷,V_th为1.96V,SS为0.082V/dec。器件源漏电极与有源层之间的接触为欧姆接触且接触电阻非常低,最小R_SD为2.0KΩ,R_SD-eff为9.15×10^-3Ω·cm²。