低维纳米材料由于其量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和界面效应而具有一系列优异的电磁、光、力学和化学等性质。尤其在光催化、光电转换这一具有挑战性的领域,低维纳米半导体材料更显示出它无与伦比的优势。随着研究的深入,各种新颖的低维纳米结构如纳米棒、纳米管、纳米丝、纳米带和纳米梳等相继被发现。与此同时,一些材料的单纳米结构物性的成功测量及其应用,更加推动人们研究新型低维纳米材料的控制与合成,并探索其形成机制。ZnO作为一种直接带隙宽禁带半导体材料,是继GaN之后光电研究领域又一热门的研究课题。其光电特性受缺陷的影响较小,在信息领域中有重要的作用。它可用于制作发光显示器件、高频滤波器、发光二极管、激光器、高速光开关等器件,在民用及军事领域都有着重要的用途。本文在前人工作的基础上,利用化学气相沉积法(CVD),以气-固(VS)为生长机制,在Si衬底上制备出了ZnO纳米线、纳米带、纳米梳、微纳米球、注射器状纳米ZnO和花瓣状纳米ZnO等。同时研究了气-固(VS)生长机制中Zn蒸汽浓度及衬底温度对纳米ZnO的影响,并分析了它们的生长机理。透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)、电子衍射(SAED)、能谱仪(EDS)和荧光分光光度计分别对样品的形貌、结构、成份及光致发光进行了表征,发现所得的纳米ZnO为单晶纤锌矿结构,光致发光谱有两个发射峰,一个位于380 nm附近,一个在510 nm处。正由于纳米材料优异的物理、化学性质,其应用已经越来越广泛。自上世纪末,世界各国也都加大了对纳米材料的研究并取得了许多成果,随着研究成果转换速度的加快,纳米材料很快就会与大家生活息息相关。