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由于大功率半导体激光器(HPLD)具有电光转化效率高、器件尺寸小和单色性好等优点,其应用范围也在不断扩大。在这种情况下,人们对半导体激光器的可靠性要求也越来越高。但目前对HPLD的可靠性研究主要关注在封装应力,热阻,腔面灾变光学损伤等方面,在静电对HPLD的可靠性影响方面的研究却很少。而静电在生产生活中是其常见的且对HPLD的影响极大。本文主要内容为HPLD器件的静电损毁机制方面的研究。为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。实验主要分为三部分:对于未镀膜器件的ESD、对镀膜器件的ESD和器件模拟。一、未镀膜器件和镀膜器件首先,对GaAs基980nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-400V,-600V,-800V,-1200V以及+5000V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数。其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象。反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4V电压下反向1200V静电打击后漏电为打击前的5883854.92倍。正向5000V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小。在反向ESD后器件腐蚀金电极后脊型台边缘有明显熔毁现象,正向静电打击后器件则没有此现象。对腔面镀膜器件只进行了反向ESD实验,实验电压分别为-500V和-1000V,单次打击。打击后发现器件I-V特性,漏电明显增大,且腔面脊型台边缘位置有明显的熔毁点。二、器件模拟使用crosslight软件建立了一个典型的宽接触面大光腔边发射大功率半导体激光器,并对其进行了电学模拟。模拟结果显示在脊型台边缘位置存在的电场场强差极大,容易造成器件击穿损毁。综上所述,通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同光学特性和电学特性和损伤表征,发现正向静电打击下,器件的光电特性无明显变化。而反向静电打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,器件输出功率下降和表面熔毁。为判别静电损毁提出了有效判据。且静电损毁最先发生在脊型台边缘对应的有源区位置,此处存在强电场易导致器件击穿损毁。