GaN基发光二极管一经问世,由于其具有节能、环保、响应速度快、体积小等突出优点广泛应用于各个领域,同时其可靠性问题也引起了人们极大的关注。本文通过MOCVD外延生长进行了一系列的实验,对GaN基LED发光亮度和ESD可靠性进行了改善。主要工作和成果如下:1.通过实验研究了n型和p型GaN掺杂浓度对材料结晶质量和LED光学性能的影响,优化得到最佳掺杂剂流量;2.改变量子阱生长过程中阱层的生长温度,采用PL谱和XRD分别对外延片的光学质量和量子阱的结晶质量进行了表征分析;3.优化p-AlGaN层的生长温度,对LED进行了外延片的PL谱和芯片的光电性能测试,结果表明当阻挡层的温度为960℃时LED的光学性能最佳;4.引入InGaN/InGaN多量子阱结构,通过XRD(002)面摇摆曲线测试结果发现,垒层掺入In组分后,量子阱中位错密度降低、界面质量提高;同时, PL谱测试和芯片的光电测试结果显示量子阱垒层掺In样品的发光强度增强;人体模式静电击打测试结果表明量子阱内位错密度的降低使得漏电通道减少,导致芯片承受静电击打的能力增强;5.采用图形化蓝宝石作为衬底生长LED外延片,并与普通蓝宝石衬底上外延生长的样品比较发现,PSS样品GaN(002)和(102)面XRD摇摆曲线的半高宽均大幅降低,PSS LED芯片的光学质量及抗静电可靠性得到大幅改善。