电子封装技术是将构成电子回路的半导体元件、电子器件组合成电子设备的综合技术。目前电子封装技术正朝着高密度、高频、高速方向发展。为了满足微电子工业,尤其是高性能微电子产品的发展需要,电子封装材料必须具备更高更多的性能,包括高导热性、低介电常数(ε)和介电损耗(tanδ)、优良的热稳定性和力学性能。现有的电子封装材料主要是环氧树脂(EP),然而,它已经不再能满足高性能电子封装的要求。氰酸酯树脂(CE)是高性能热固性树脂,具备突出的综合性能,特别是优异的介电性能,表现为在宽频和较大温度范围内低的介电常数和介电损耗角正切值。此外,它也具有优良的耐热性、机械性能和工艺性。CE被视为制备电子封装材料最具竞争力的树脂。但是,CE树脂的导热性能比较差,这限制了它作为高性能电子封装材料的应用范围。本文研究的目的是制备具有高导热系数(λ)、低ε和良好机械性能电子封装用CE基复合材料。本文采用氮化铝(AlN)、二氧化硅(SiO2)以及经过硅烷偶联剂(KH560)处理的AlN和SiO2与CE共混,设计制备了AlN/CE , AlN-SiO2/CE和AlN(KH560)-SiO2(KH560)/CE复合材料。研究了填料的种类、粒径、含量和表面性质对复合材料导热性能、介电性能的影响。研究结果表明填料对复合材料的导热性能有显著影响,当填料的体积分数达到60%时,所有复合材料的导热系数都在纯CE导热系数的6倍以上,当复合材料填料含量较高时(>50vol%),其λ值对填料含量有强烈的依赖性。填料经过硅烷偶联剂处理之后,复合材料的导热性能也有所提高。但是,高含量的AlN添加到CE中会提高复合材料的ε。将SiO2部分取代AlN,制备的三元复合材料其导热性能提高的同时,能减少ε的增加量。将聚丙烯(PP)和CE混合,制备了混合树脂基体,并加入一定量的AlN制备三元复合材料。研究了加入PP后,各组分在复合材料中分布和形态,并讨论了对复合材料导热和介电性能的影响。研究结果表明,复合材料的λ值均大于CE树脂的λ值。共混基体的配比对复合材料的λ有显著影响。在本课题的研究范围内,当PP的质量分数为混合基体的30%时,λ出现最大值。随着PP含量的增加,λ逐渐降低。基体连续相的变化以及AlN在CE中的分布是AlN/CE-PP具有不同于AlN/CE复合材料导热性能的根本原因。PP的加入对复合材料的介电性能也有影响,复合材料的ε随着PP含量的增加而降低。研究了AlN/CE复合材料的动态力学性能。复合材料的存储模量随着AlN含量的增加而线性增加,AlN质量分数达到60%时,复合材料的存储模量是纯CE树脂的2.6倍。但是随着AlN含量的增加,CE固化后的交联密度降低,增加了自由体积,复合材料Tg却随着填料含量的增加而降低。AlN含量增加,复合材料的损耗模量也增加。这主要是因为在AlN/CE复合材料中,能量的损耗除了分子链之间的摩擦以外,还增加了AlN-AlN以及AlN-CE的摩擦,并且这种能量损耗随着AlN含量的增加而增加。