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以MOSFET作为主要功率开关管,应用于200 V输入的全桥逆变电路中,分析了电路的工作特点及MOSFET驱动电路的设计要求,以及针对开通关断过程所需的电气特性,设计了一种采用光耦隔离、IR2113控制的MOSFET高速驱动电路.实验结果证明了设计的可行性,测试数据和波形该MOSFET驱动电路具有电气隔离性能优良、驱动能力和抗干扰能力强等特点,目前该电路已成功应用在一台逆变器实验样机中,运行稳定.电路设计对IGBT等其他电压控制型功率开关器件的驱动也有一定的借鉴意义.