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系统地研究了氧气氛围中退火温度对Mg掺杂InGaN／GaN异质结电学特性及光学性能的影响。电流电压特性和表面方块电阻的测试表明，与P-GaN相比，p-InGaN／GaN异质结的最佳退火温度较低，而且容易与非合金化的Ni／Au电极形成欧姆接触。分析认为InGaN具有的较小带隙能量和p—InGaN／GaN异质结中存在强烈的极化效应以及InN较高的平衡蒸汽压是引起以上结果的主要原因。p—InGaN／GaN异质结10K的光致荧光光谱中存在两个分别位于2．95eV和2．25eV的发光峰，随着材料退火温度的提高，这两