一个电压接近1V10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源(英文)

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fyishen

【摘要】

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介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10pp

【作者】

：

幸新鹏李冬梅王志华

【机构】

：

清华大学微电子研究所; 清华大学电子工程系; 清华大学微电子研究所北京100084; 北京100084;

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年01期

【关键词】

：

CMOS带隙基准源低电源电压曲率补偿

【基金项目】

：

国家自然科学基金(批准号:60475018);北京市科技发展计划(批准号:D0305004040221-2-05)资助项目~~

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介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在电源电压为1.1V时,电源电流为43μA,低频的PSRR为55dB.该带隙基准源已通过UMC0.18μm混合信号工艺验证,芯片面积为0.186mm2.

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