论文部分内容阅读
采用热蒸发沉积法,以砷化镓和氧化镓粉末为原料,以氧化铟为催化剂,在800℃的氩气气氛中,在（100）砷化镓基片表面上沉积生成GaAs/Ga2O3薄膜。以配有成分分析的场发射扫描电镜（FESEM）、X-射线衍射仪（XRD）、光致发光仪（PL）等测试方法对所得薄膜的成分、形貌、晶体结构和光学性能进行了表征。研究结果表明：薄膜以规整的波浪形均匀地覆盖在砷化镓基片表面上,所得薄膜为GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜,光致发光峰为强的红光发射;薄膜的生长机理为固-气-固过程,薄膜中砷元素含量的增加与氧化铟的作用有关。