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利用由一定结构的球面（阴极）-平板（阳极）组成的真空间隙，模拟特种电真空器件中电极间的微放电过程。用离子束辅助沉积（IBAD）法，在阴极球面上沉积出高结合强度的晶化TiB2薄膜。实验证明：在高达1000℃的温度下，相比不锈钢材料，薄膜表面几乎不被氧化；在单次脉冲高压作用下和在经受数百次高能微粒子轰击后，仍呈现出弱放电特征，既提高了耐压能力，又降低了脉冲电源的动态负载。