【摘 要】
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已经发现短沟道CaAs MESFET(栅长短于1μm)的器件参数与栅长有关,随着栅长的缩短,出现速度峰的电场E_p和速度峰V_p的数值要单调增加,这是由于短沟道器件中出现非平衡速度过冲
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已经发现短沟道CaAs MESFET(栅长短于1μm)的器件参数与栅长有关,随着栅长的缩短,出现速度峰的电场E_p和速度峰V_p的数值要单调增加,这是由于短沟道器件中出现非平衡速度过冲效应所致.文中给出了各种栅长下的E_p和V_p,还给出了考虑到非平衡速度过冲效应后GaAs的速-场近似关系.
It has been found that device parameters for short channel CaAs MESFETs (gate lengths less than 1 μm) are related to the gate length. As the gate length is shortened, the values of the electric field E_p and velocity peak V_p at which the velocity peaks appear to increase monotonically increase due to the short channel The unbalanced speed overshoot effect appears in the device, E_p and V_p are given for various gate lengths, and the velocity-field approximation of GaAs given the non-equilibrium speed overshoot is also given.
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